포괄적인 RHBD IP 활용으로 기존 ASIC 제품을 확대해 다양한 고신뢰도 애플리케이션에 부응

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온세미컨덕터(www.onsemi.com)는 지난 11월 24일 방사선 방지 기능을 가진 ASIC(주문형 반도체) 시장 확대를 위해 ICs LLC(www.ics-rhbd.net)와 라이센싱/개발분야에 협력한다고 밝혔다.


이번 협력을 통해 선보이게 될 RHBD(Radiation hardened by design) ASIC 의 설계와 생산은 온세미컨덕터의 ONC110 110nm 공정을 기반으로 한다.

온세미컨덕터는 ITAR 규격을 준수하고「DMEA 인증 공급업체」승인을 받으며 DO-254 규격을 지원하는 RHBD ASIC의 출시를 통해 군사와 항공 시장용 제품군을 확대하게 된다.


이 칩의 방사선 테스트 결과 100 MeVcm㎠/mg 이상의 ASIC뿐 아니라 더블비트 업셋 면역 40 MeVcm㎠/mg 이상의 이중 포트 SRAM의 선형 에너지 전송량에 강력한 SEU(Single Event Upset: 전자 기기의 비트값이 변하는 오류 현상)와 과 SEL (single event latch-up; 과전류로 인한 전자 기기의 파괴 현상) 내구성을 보였다.

이 혁신적인 RHBD 플립 플롭 아키텍처는 SRL(자기 회복 논리)에 속한다.


SRL 플립 플롭은 최고 700MHz 의 주파수에서 방사선 노출시에 강력한 회복력을 보여준다. 이 새로운 RHBD IC는 우주 탐사, 위성 통신, 감시, 항공 전자, 무인 항공기, 상업용 항공기, 핵 에너지, 소립자 물리학 연구, 군사 장비 등과 같은 애플리케이션에서 높은 신뢰도를 보장한다.


ICs LLC의 CEO 조 필리(Joe Feeley) 박사는『반도체 업계가 소형 공정화 아키텍처로 이행됨에 따라 방사선 효과의 경감은 점차 중대한 문제로 대두되고 있다』며『소프트 에러로부터 자유로운 기존의 RHBD 솔루션들이 고속 회로에 대해 적절히 보호를 하지 못했지만 SRL은 이 같은 기능을 무리없이 잘 수행하고, 이러한 중요한 문제에 대해 솔루션을 제공하는 온세미컨덕터 덕택에 고객사들은 실시간 애플리케이션에 필수적인 오류 방지 ASIC을 제작할 수 있게 되었다』고 말했다.

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